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　　英飞凌、罗姆、意法半导体等全球半导体龙头，将带来SiC/GaN技术的量产化经验——例如英飞凌的8英寸SiC衬底量产工艺、罗姆的GaN器件可靠性提升方案，以及在特斯拉、大众汽车等车企的电驱系统适配实践，揭示“技术迭代-成本下降-规模应用”的正向循环逻辑；而谷歌云、亚马逊云科技等应用端领军企业，将从数据中心供电系统革新的需求出发，提出宽禁带半导体在高频、高效、高密度场景下的技术指标与适配标准，反向推动器件技术升级。

　　中车时代半导体、三安半导体、比亚迪等国内龙头企业，将展示本土化的技术突破成果——中车时代半导体的8英寸SiC MOSFET研发进展、三安半导体的SiC衬底良率提升方案、比亚迪在新能源汽车领域的SiC模块规模化应用经验，彰显国内企业在核心环节的替代能力；华为数字能源、阿里云则将分享宽禁带半导体在储能系统、数据中心电源中的创新应用，探索“国产器件+本土场景”的协同创新模式；清华大学、浙江大学等高校科研团队，将聚焦下一代宽禁带材料（如AlN、Ga₂O₃）的研发、SiC衬底缺陷控制的前沿理论，为产业提供技术储备。